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PIN同轴开关

PIN同轴吸收式和反射式50欧姆开关,覆盖10MHz-50Ghz并提供120db高隔离度,小于10ns高速开关。


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领导者-MW 交换机简介

隆重推出 Leader 微波技术 (LEADER-MW) PIN 同轴吸收式和反射式 50 欧姆开关,这是一种用于高频信号路由和控制的尖端解决方案。这款创新交换机具有卓越的性能和多功能性,非常适合电信、航空航天、国防和研究行业的各种应用。

PIN 同轴吸收式和反射式 50 欧姆开关专为满足现代射频和微波系统的需求而设计,可在吸收式和反射式模式之间无缝切换,使用户能够灵活地适应不同的信号路由要求。该开关具有 50 欧姆阻抗,可确保最佳信号完整性和最小信号损失,使其适用于精度和可靠性至关重要的高频应用。

该开关采用紧凑而坚固的同轴设计,可轻松集成到现有系统中,同时其高速开关功能可实现快速响应时间,确保无缝信号路由和控制。无论是用于测试和测量设置、通信系统还是雷达应用,该开关都能提供卓越的性能和可靠性,使其成为工程师和研究人员的宝贵资产。

 

领导者-MW 规格

SP1T开关规格

频率范围 GHz 反射插入损耗dB(max) 吸收插入损耗dB(max) 驻波比(最大) 隔离度dB(最小值) 开关速度 ns(最大) 功率W(最大)
0.02-0.5 0.2 0.3 1.3 80 200 1
0.5-2 0.4 0.5 1.3 80 100 1
0.02-3 2 2.2 1.5 80 200 1
1-2 0.5 0.6 1.3 80 100 1
2-8 0.8 1 1.3 80 100 1
8-12 1.2 1.5 1.4 80 100 1
12-18日 1.6 2.6 1.5 80 100 1
2-18 2 2.8 1.8 60 100 1
18-26.5 2.4 3.2 1.8 60 100 2
26.5-40 3 4 2 30 100 0.2
40-50 3.5 4.5 2 30 100 0.2

SP4T 开关规格

频率范围 GHz 反射插入损耗dB(max) 吸收插入损耗dB(max) 驻波比(最大) 隔离度dB(最小值) 开关速度 ns(最大) 功率W(最大)
0.02-0.5 0.3 0.4 1.3 80 200 1
0.5-2 0.5 0.6 1.3 80 100 1
0.02-3 2.2 2.4 1.5 80 200 1
1-2 0.6 0.7 1.3 80 100 1
2-8 1 1.2 1.3 80 100 1
8-12 1.5 1.8 1.4 80 100 1
12-18日 1.8 2.7 1.5 80 100 1
2-18 2.2 2.8 1.8 60 100 1
18-26.5 2.6 3.5 1.8 60 100 2
26.5-40 3.2 4.2 2 30 100 0.2
40-50 3.6 4.8 2 30 100 0.2
频率范围 GHz 反射插入损耗dB(max) 吸收插入损耗dB(max) 驻波比(最大) 隔离度dB(最小值) 开关速度 ns(最大) 功率W(最大)
0.02-0.5 0.3 0.5 1.3 80 200 1
0.5-2 0.6 0.7 1.3 80 100 1
0.02-3 2.3 2.5 1.5 80 200 1
1-2 0.7 0.8 1.3 80 100 1
2-8 1.1 1.5 1.3 80 100 1
8-12 1.6 2 1.4 80 100 1
12-18日 1.9 2.9 1.5 80 100 1
2-18 2.4 3 1.8 60 100 1
18-26.5 2.8 3.6 1.8 60 100 2
26.5-40 3.5 4.3 2 30 100 0.2
40-50 3.8 4.9 2 30 100 0.2

SP8T开关规格

频率范围 GHz 反射插入损耗dB(max) 吸收插入损耗dB(max) 驻波比(最大) 隔离度dB(最小值) 开关速度 ns(最大) 功率W(最大)
0.02-0.5 0.4 0.5 1.3 80 200 1
0.5-2 0.8 0.8 1.3 80 100 1
0.02-3 2.5 2.7 1.5 80 200 1
1-2 0.8 1 1.3 80 100 1
2-8 1.5 1.8 1.3 80 100 1
8-12 2.5 3 1.4 80 100 1
12-18日 5.2 5.5 1.5 80 100 1
2-18 5.5 6 1.8 60 100 1
18-26.5 6 6.5 1.8 60 100 2
26.5-40 6 6.5 2 30 100 0.2
40-50 6.2 6.7 2 30 100 0.2

 

领导者-MW 外画

所有尺寸单位为毫米
所有连接器:SMA-F
公差:±0.3MM

开关1
开关2
开关3
开关4

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